东芝打造 19nm工艺闪存芯片来啦
2011-04-22seaMCPLive.cn
继推出24nm工艺NAND闪存芯片后，时隔短短半个月，东芝宣布，19nm工艺的NAND闪存芯片又来啦，真是让人应接不暇。
东芝称，新推出的19nm工艺NAND闪存芯片采用2位元（bit-per-cell）结构，容量达8GB，是目前体积小，密度大的8GB NAND闪存芯片。有了它，对体积要求很高的便携设备可轻松达到128GB的存储容量。
继推出24nm工艺NAND闪存芯片后，时隔短短半个月，东芝宣布，19nm工艺的NAND闪存芯片又来啦，真是让人应接不暇。
东芝称，新推出的19nm工艺NAND闪存芯片采用2位元（bit-per-cell）结构，容量达8GB，是目前体积小，密度大的8GB NAND闪存芯片。有了它，对体积要求很高的便携设备可轻松达到128GB的存储容量。
