基于50nm工艺的三星1Gb DRAM内存芯片
2011-02-22小烈MCPLive.cn
三星近日正式宣布了面向智能手机和平板等移动设备的一款移动新品，基于50nm工艺的1Gb DRAM内存芯片。
三星称，该内存芯片不仅在传输速度（12.8GB/s）上比当前移动芯片的速度提高了8倍，而且其耗电量也比以前的芯片减少了约87%。
官方消息还指出，三星计划在2013年之前研制出基于20nm工艺的4Gb移动内存芯片。
三星近日正式宣布了面向智能手机和平板等移动设备的一款移动新品，基于50nm工艺的1Gb DRAM内存芯片。
三星称，该内存芯片不仅在传输速度（12.8GB/s）上比当前移动芯片的速度提高了8倍，而且其耗电量也比以前的芯片减少了约87%。
官方消息还指出，三星计划在2013年之前研制出基于20nm工艺的4Gb移动内存芯片。
