三星打造2133MHz DDR4内存模块
2011-01-04小烈MCPLive.cn
新消息得知，三星电子公布了全球首款DDR4 DRAM内存，而且目前正处于试产阶段。
这是全球首款DDR4 DRAM内存，属于UDIMM类型，运行频率为2133MHz，工作电压为1.2V，采用30nm级别工艺制造，容量为2GB。
据称，三星这款DDR4内存还采用了来自高端显存的POD（Pseudo Open Drain，虚拟开漏极）技术，在读写时漏电率仅DDR3内存芯片的一半，功耗减少40%。
