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日立发布首款25nm工艺固态硬盘

2012-02-09lyasd

一般来说,半导体工艺总是越新越好,但是因为长期使用可靠性无法得到足够的保障,25nm NAND闪存受到了不少用户的质疑,不少新工艺固态硬盘的读写次数指标甚至还不如老的34nm产品。

日立发布首款25nm工艺固态硬盘

今天,日立环球存储发布了第一款采用25nm NAND闪存的企业级固态硬盘“Ultrastar SSD400S.B”,证明新闪存仍然可以用在对可靠性要求非常严格的地方,可满足高性能的企业级存储需要。

日立发布首款25nm工艺固态硬盘

Ultrastar SSD400S.B采用2.5寸规格,不过比较“厚重”,长宽高尺寸分别为100.6×70.1×15毫米,重量约222克。它使用的是25nm SLC单层闪存芯片,容量100GB、200GB、400GB,接口SAS 6Gbps,可靠性方面不可恢复错误率1/1016,平均故障间隔时间200万小时,支持24×7连续工作,终生大随机写入数据量三种型号分别为9PB、18PB、35PB。

日立发布首款25nm工艺固态硬盘

性能上,64K持续读写速度高分别可达536MB/s、502MB/s,4K随机读写速度则是高57500 IOPS、25500 IOPS。

另外功耗在待机时平均为1.7W,读写操作时典型5.5W,能耗比8360 IOPS/W。

日立表示,这种固态硬盘适用于多种企业级场合,包括企业服务器、高性能计算系统、空间和/或功耗受限环境、在线交易处理、视频编辑、金融财务与电子商务、数据库分析、云计算等等。

日立Ultrastar SSD400S.B正在接受OEM合作客户的评估,将在今年上半年大规模投产出货,提供五年有限质保或者大数据量质保两种支持方式,并可选是否加密。

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